Description
Type : MOSFET à superjonction N-channel
Source de drainage de tension (VDSS) : 650 V
Courant Drain Continu (ID) : 20 A à 25°C / 12,6 A à 100°C
Courant de Drain Pulsé (IDM) : 60 A
Source de grille de tension (VGS) : ±30 V
Seuil de tension VGS(th): 2,5 – 4,5 V
Résistance à l’état passant RDS(on): 0,18 Ω typique à VGS = 10V
Charge Totale de Grille (Qg) : ~39 nC
