Description
Fabricant : Toshiba
Catégorie de produit : Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET)
Boîtier : TO-220
Polarité du transistor : N-channel
Vds – Tension de claquage drain-source : 600 V
Id – Courant de drain continu : 6 A
Rds – Résistance drain-source à l’état passant : 1,25 Ohm
Vgs – Tension grille-source : -30 V, +30 V
Vgs th – Tension de seuil grille-source : 2 V
Qg – Charge de grille : 16 nC
Température minimale de fonctionnement : -55 °C
Température maximale de fonctionnement : +150 °C
Dp – Dissipation de puissance : 40 W
Temps de descente : 12 ns
Temps de montée : 20 ns
Temps de désactivation typique : 60 ns
Temps de mise sous tension typique : 40 ns
Hauteur : 15 mm
Longueur : 10 mm
Largeur : 4,5 mm
Série : TK6A60D
