Description
Fabricant : IXYS
Catégorie de produit : MOSFET
Boîtier : PLUS-264-3
Polarité du transistor : N-channel
Vds – Tension de claquage drain-source : 800 V
Id – Courant drain permanent : 62 A
Rds – Résistance drain-source à l’état passant : 140 mOhms
Vgs – Tension grille-source : – 30 V, + 30 V
Vgs th – Tension de seuil grille-source : 3,5 V
Qg – Charge de grille : 270 nC
Température minimale de fonctionnement : – 55 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Pd – Dissipation de puissance : 1,56 kW
Nom commercial : HiPerFET
Temps de montée : 300 ns
Série : IXFB62N80
