Description
- Type: MOSFET Canal N
- Tension drain-source (VDS): 500 V
- Courant drain continu (ID): 20 A (à 25°C)
- Résistance à l’état passant (RDS(on)): 0.27 Ω max
- Tension de seuil (VGS(th)): 2.0 à 4.0 V
- Charge totale de grille (Qg): ~160 nC
- Tension grille-source max (VGS): ±20 V
- Puissance dissipée (PD): 280 W
- Temps de commutation typique: Ton ≈ 34 ns / Toff ≈ 160 ns
- RθJC (jonction-boîtier): 0.54 °C/W
- Température de jonction max: 150 °C
- Boîtier : TO‑247
