Description
- Type de transistor : MOSFET canal N
- Tension drain-source (VDS) : 500 V (max)
- Drain courant (ID) continu : 14 A
- Source de tension (VGS) max : ±20 V
- Résistance à l’état passant (RDS(on)) : ~0,4 Ω (à VGS = 10 V)
- Puissance dissipée maximale (PD) : 200 W
- Type de boîtier: TO-247
- Temps de commutation : Temps de montée/descente ≈ 40-80 ns
