Description
- Type : MOSFET canal N en boîtier TO‑247
- Tension drain-source (VDSS) : 250 V
- Courant drain continu (ID) : 57 A à 25 °C
- Puissance dissipable (PD) : 360 W (à Tc = 25 °C)
- Resistance RDS(on) max : 33 mΩ à VGS= 10 V
- Charge totale de la grille (Qg) : 99 nC à 10 V
- Température de jonction max (Tj) : jusqu’à 175 °C
- Tension gate-source max (VGS(max)) : ±30 V
- Temps de commutation : rise ~100 ns,
