Description
- Tension drain‑source max (VDSS) : 500 V
- Courant continu (ID) : 32 A à TC = 25 °C
- RDS(on) : 160 mΩ
- Charge totale de gate (Qg) : 190 nC
- Dissipation thermique maximale (PD) : 460 W
- Courant de seuil VGS(th) : environ 3 V (max = 5 V à 250 µA)
- Tension gate‑source max : ±30 V
- Température de jonction max (Tj) : −55 °C à +150 °C
- Boîtier : TO‑247
