Mosfet N-channel « IRFP32N50K » (500V-32A) TO-247

Description

• Tension drain‑source max (VDSS) : 500 V
• Courant continu (ID) : 32 A à TC = 25 °C
• RDS(on)  : 160 mΩ
• Charge totale de gate (Qg) : 190 nC
• Dissipation thermique maximale (PD) : 460 W
• Courant de seuil VGS(th) : environ 3 V (max = 5 V à 250 µA)
• Tension gate‑source max : ±30 V
• Température de jonction max (Tj) : −55 °C à +150 °C
• Boîtier : TO‑247