Description
- Type: MOSFET N-Channel
- Tension drain-source (VDS): 250 V
- Courant drain continu (ID) :50 A
- Résistance à l’état passant (RDS(on)): 0.040 Ω
- Tension de seuil (VGS(th)) :2.0 à 4.0 V
- Puissance dissipée (PD): 300 W
- Tension de grille-source max (VGS): ±20 V
- Temps de commutation: Ton : ~95 ns / Toff : ~320 ns
- Boîtier : TO‑247
