Description
- Type: MOSFET Canal N
- Tension drain-source (VDS): 200 V
- Courant drain continu (ID): 50 A (à 25°C)
- Résistance à l’état passant (RDS(on)): 0.04 Ω typique
- Tension grille-source (VGS) max: ±20 V
- Puissance dissipée (PD): 300 W
- Tension de seuil (VGS(th)): 2.0 à 4.0 V
- Charge totale de grille (Qg): ~170 nC
- Temps de commutation: Ton ≈ 60 ns / Toff ≈ 140 ns
- RθJC (jonction-boîtier): 0.5 °C/W
- Température de jonction max: 175 °C
- Boîtier : TO‑247
