Mosfet N-channel « IRFP254N » (250V-23A) TO-247

Description

• Tension Drain‑Source (VDSS) : 250 V
• Courant continu de drain (ID) : 23 A (à 25 °C)
• Puissance dissipable (PD) : jusqu’à 220 W 
• Tension maximale Gate‑Source (VGS) : ± 20 V
• Température de jonction max. (Tj) : 175 °C
• Résistance en conduction (RDS(on)) : 0,125 Ω à VGS = 10 V
• Tension de seuil (VGS(th)) : environ 4 V
• Charge de grille (Qg) : ~100 nC
• Temps de montée (tr) : 34 ns
• Boîtier : TO-247
• Technologie : 5ᵉ génération HEXFET, avalanche répétitive, capacité de fonctionnement parallèle, commandes de grille simples