Description
- Tension Drain–Source maximale (VDS) : 200 V
- Courant continu (ID) : 20 A à 25 °C
- Courant de crête (pulsé) : jusqu’à 80 A
- Résistance à l’état passant RDS(on) : 0,18 Ω
- Tension de seuil VGS(th) : ~2 – 4 V
- Tension maximale Gate‑Source (VGS) : ±20 V
- Charge de gate Qg : ~70 nC à 10 V
- Dissipation de puissance (PD) : jusqu’à 150 W (TC = 25 °C)
- Température de jonction maximale (Tj) : +150 °C
- Boîtier : TO‑247
