Description
- Tension Drain–Source (VDSS) : 500 V
- Courant continu (ID) : 23 A
- ID pulsé : jusqu’à 92 A (courtes impulsions)
- RDS(on) (max) : 0,235 Ω à VGS = 10 V, ID = 14 A
- Tension de seuil VGS(th) : max 5 V à 250 µA (typique ~3–5 V)
- Charge de gate Qg : 150 nC
- Dissipation maximale PD : 370 W
- Température de fonctionnement : jusqu’à +150 °C (TJ)
- Boîtier : TO‑247
- VGS max : ±30 V
