Description
- Tension Drain–Source maximale (VDSS) : 500 V
- Courant continu (ID) : 22 A (à 25 °C )
- Résistance à l’état passant RDS(on) : 0,23 Ω
- Tension de seuil VGS(th) : 4 V à 250 µA max
- Tension maximale Gate–Source (VGS) : ±30 V
- Charge de gate totale (Qg) : jusqu’à 120 nC
- Puissance maximale dissipable (PD) : 277 W
- Température de jonction maximale (Tj) : +150 °C
- Boîtier : TO‑247
