Mosfet N-channel « IRFBE30 » (800V-4.1A) TO-220

Description

• Type : MOSFET canal N 
• Tension drain-source maximale (VDSS) : 800 V
• Courant de drain continu (ID) : 4,1 A (à Tc = 25 °C)
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : jusqu’à 3 Ω 
• Tension de seuil de grille (VGS(th)) : max 4 V à 250 µA
• Tension grille-source maximum (VGSmax) : ±20 V
• Charge totale de grille (Qg) : 78 nC à 10 V 
• Capacité d’entrée (Ciss) : 1300 pF
• Puissance dissipée (PD) : jusqu’à 125 W (Tc)
• Température de fonctionnement : -55 °C à +150 °C (TJ)
• Boîtier : TO‑220