Mosfet N-channel « IRFB7430 » (40V-195A) TO-220

Description

• Type : MOSFET canal N
• Boîtier : TO‑220
• Tension drain‑source (VDSS) : 40 V
• Courant continu drain (ID) : jusqu’à 195 A (à 25 °C)
• Résistance RDS(on) : 1,3 mΩ 
• Charge de grille totale (QG) :  460 nC
• Tension seuil de la grille (VGS(th)) : 3,9 V à 250 µA
• Tension maximale grille‑source (VGS max) : ±20 V
• Dissipation thermique maximale (PD) : jusqu’à 375 W
• Température de jonction (Tj) : –55 °C à +175 °C
• Capacité d’entrée (Ciss) : 14 240 pF