Mosfet N-channel « IRFB4115 » (150V-104A) TO-220

Description

• Type : N‑Channel StrongIRFET™, famille HEXFET
• Boîtier : TO‑220
• Tension Drain‑Source (VDSS) : 150 V
• Courant de drain continu (ID) : 104 A à TC=25 °C
• Courant de pointe (pulsé) : jusqu’à 420 A
• Résistance RDS(on) max  : 11 mΩ
• Charge de grille (QG)  : 77 nC 
• Capacitance d’entrée (Ciss)  : 5 270 pF
• Tension seuil VGS(th) : 4 V 
• VGS max : ±20 V
• Puissance dissipée (Ptot) : 380 W
• Température de jonction max TJ : –55 °C à +175 °C
• RθJC : 0.4 K/W