Mosfet N-channel « IRFB4110 » (100V-180A) TO-220

Description

• Type : N‑Channel MOSFET, famille StrongIRFET
• Boîtier : TO‑220
• Tension Drain‑Source (VDSS) : 100 V
• Courant continu (ID) : jusqu’à 180 A 
• RDS(on) : 3.7 mΩ à 4,5 mΩ 
• Charge de grille (QG) : 150 nC
• Temps de commutation typiques : Turn-on delay : 25 ns – Rise time : 67 ns – Turn-off delay : 78 ns – Fall time : 88 ns
• Puissance dissipée (Ptot) : 370 W 
• Tension Gate‑Source max. : ±20 V 
• Température Tj max : –55 °C à +175 °C 
• résistance thermique RθJC : 0,4 K/W