Mosfet N-channel « IRFB3607 » (75V-80A) TO-220

Description

• Type : N‑Channel MOSFET HEXFET
• Boîtier : TO‑220
• Tension Drain‑Source (VDSS) : 75 V
• Courant Drain continu (ID) : jusqu’à 80 A (à 25 °C )
• Courant de pointe (pulsé) : 310 A
• RDS(on) : 9 mΩ
• Charge de grille (Qg) : 56 nC
• Capacité d’entrée (Ciss) : 3070 pF
• Tension seuil VGS(th) : 3–4 V à 100 µA
• VGS max. : ±20 V
• Dissipation thermique : 140 W (Tc)
• Température de jonction maximale : –55 °C à +175 °C
• Résistance thermique Rθ‑JC : 1,05 K/W
• Temps de montée (tr) : 110 ns