Mosfet N-channel « IRFB3307 » (75V-120A) TO-220

Description

• Type : N‑Channel MOSFET (HEXFET)
• Boîtier : TO‑220
• Tension Drain‑Source (VDSS) : 75 V
• Courant de drain continu (ID) : 120 A à 25 °C (Tc)
• RDS(on) max : 6,3 mΩ
• Charge de grille (QG) : 110–120 nC
• Seuil de tension VGS(th) : 3 V à 150 µA
• VGS max : ±20 V
• Dissipation thermique (Ptot) : 230–250 W
• Température de fonctionnement : –55 °C à +175 °C (TJ max)