Mosfet N-channel « IRFB3206 » (60V-120A) TO-220

Description

• Type de MOSFET : N-Channel
• Tension drain-source max (VDS) : 60 V
• Courant de drain max (ID) : 120 A (à 25 °C)
• Résistance drain-source à l’état (RDS(on)) : 3.3 mΩ max
• Tension de seuil (VGS(th)) : 2.0 – 4.0 V
• Capacité d’entrée (Ciss) : 4600 pF
• Boîtier : TO-220
• Température de jonction max : 175 °C
• Charge totale de grille (Qg) : 140 nC
• Type de montage : Traversant (Through-Hole)
• Technologie : HEXFET® Power MOSFET