Mosfet N-channel « IRF820 » (500V-2.5A) TO-220

Description

• Type : MOSFET canal N
• Tension drain-source max (VDS) : 500 V
• Courant drain max (ID) : 2.5 A
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 3 Ω
• Tension grille-source max (VGS) : ±20 V
• Tension de seuil VGS(th) : 2.0 à 4.0 V
• Puissance dissipée (PD) : 50 W
• Charge totale de la grille (Qg) : 24 nC
• Temps de commutation : Montée : 8.6 ns / Descente : 16 ns
• Température de jonction (Tj max) : 150 °C
• Boîtier : TO-220