Description
- Type : MOSFET canal N
- Tension drain-source max (VDS) : 200 V
- Courant drain max (ID) : 18 A
- Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 0.18 Ω
- Tension grille-source max (VGS) : ±20 V
- Tension de seuil VGS(th) : 2.0 à 4.0 V
- Puissance dissipée (PD) : 125 W
- Temps de montée (t rise) : 23 ns
- Temps de descente (t fall) : 18 ns
- Boîtier : TO-220
