Description
- Type : MOSFET canal N
- Tension drain-source max (VDS) : 100 V
- Courant drain max (ID) : 28 A
- Tension de seuil VGS(th) : 2.0 à 4.0 V
- Résistance drain-source à l’état passant (RDS(on)) : 0.077 Ω
- Puissance dissipée (PD) : 130 W
- Tension grille-source max (VGS) : ±20 V
- Temps de commutation (rise/fall time) : 60 ns / 45 ns
- Boîtier : TO-220
