Mosfet N-channel « IRF520 » (100V-9.2A) TO-220

Description

• Tension drain-source (VDSS) : 100 V
• Courant de drain continu (ID) : 9.2 A à  25 °C
• Résistance RDS(on) : 0,27 Ω à VGS = 10 V
• Charge de grille Qg : 22 nC
• Capacité d’entrée (Ciss) : 460 pF 
• Tension de seuil VGS(th) : jusqu’à 4 V (250 µA)
• Tension gate-source max (VGS(max)) : ±20 V
• Puissance dissipable (PD) : 60 W à Tc = 25 °C 
• Température jonction max : jusqu’à 175 °C
• Boîtier : TO‑220