Mosfet N-channel « IRF510 » (100V-5.6A) TO-220

Description

• Type : MOSFET canal N enhancement-mode
• Boîtier : TO‑220
• Tension drain-source maximale (VDS) : 100 V
• Courant drain continu (ID) : 5,6 A à 25 °C
• Puissance dissipable (PD) : 43 W (Tc = 25 °C)
• RDS(on) :  0,54 Ω à VGS = 10 V
• Tension de seuil VGS(th) : entre 2 V et 4 V
• Tension max VGS : ±20 V
• Charge grille (Qg) : 30–50 nC
• Capacité d’entrée (Ciss) : 135 pF
• Température de jonction (Tj) : jusqu’à 175 °C