Mosfet N-channel « IRF250 » (200V-30A) TO-3

Description

• Type : MOSFET N‑canal (enhancement mode)
• Boîtier : TO‑3
• Tension Drain‑Source (VDS max) : 200 V
• Tension Gate‑Source (VGS max) : ±20 V
• Courant de Drain (ID, continu) : 30 A à 25 °C (19 A à 100 °C)
• Résistance de conduction (RDS(on)) : 0,085 Ω
• Puissance dissipable (PD) : jusqu’à 150 W
• Température de jonction (Tj max) : 150 °C
• Temps de montée (Rise Time) : 190 ns
• Charge totale de grille (Qg) : 55 à 115 nC
• Tension de seuil (VGS(th)) : 2 – 4 V