Mosfet N-channel « IRF230 » (200V-9A) TO-3

Description

• Type : N‑Channel enhancement‑mode MOSFET
• Boîtier : TO‑3
• Tension drain-source maximale (VDSS) : 200 V
• Courant continu : 9 A (à Tc = 25 °C)
• Courant de pointe (impulsions) : 36 A
• RDS(on) (max) : 0,49 Ω 
• Charge de grille (Qg) :  30–39 nC 
• VGS(th) : jusqu’à 4 V max
• Tension de commande VGS(max) : ±20 V
• Dissipation thermique (Tc = 25 °C) : 75 W
• Température de fonctionnement : –55 °C à +150 °C