Mosfet N-channel « HY4008 » (80V-200A) TO-247

Description

• Type : MOSFET N‑Channel Enhancement Mode
• Tension Drain‑Source (VDSS) : 80 V
• Courant continu de drain (ID) : jusqu’à 200 A à 25 °C, environ 153 A à 100 °C
• Résistance ON (RDS(on)) : 2,9 mΩ
• Dissipation de puissance (Pd) : 397 W
• Température de jonction max (TJ) : 175 °C
• Tension de seuil (VGS(th)) : min 2 V, max 4 V
• Capacité thermique jonction‑boîtier (RθJC) : 0,38 °C/W
• Charge capacitive (Qg) : 195 nC
• Paramètres dynamiques :

1. Tension directe diode intégrée (VSD) : 0,8 V (max 1,2 V)
2. Temps de récupération inverse (trr) : 30 ns

• Commutation rapide :

1. Retard à l’activation (td(ON)) : 28 ns
2. Temps de montée (tr) : 18 ns
3. Retard à la désactivation (td(OFF)) : 42 ns
4. Temps de descente (tf) : 54 ns