Description
VDS : 1000 V
ID : 5,1 A
RDS (on) : ≤ 2 Ω
Pd : 125 W
VGS (max) : ± 20 V
VGS (th) : ≈ 4 V
tr : ≈ 100 ns
Tj (max) : 150 °C
Boîtier : TO‑218AA
Mosfet N-channel BUZ357 (1000V-5.1A) TO-218
Transistor de puissance SIPMOS « N-channel Mosfet »
