Description
VDS : 400 V
ID : 12,5 A
RDS (on) : ~0,35 Ω
Pd : 125 W
VGS (th) : ~4 V
VGS (max) : ±20 V
tr : ~90 ns
TJ (max) : 150 °C
Boîtier : TO‑218AA
Transistor de puissance SIPMOS « N-channel Mosfet »
VDS : 400 V
ID : 12,5 A
RDS (on) : ~0,35 Ω
Pd : 125 W
VGS (th) : ~4 V
VGS (max) : ±20 V
tr : ~90 ns
TJ (max) : 150 °C
Boîtier : TO‑218AA