Description
Fabricant : Infineon
Catégorie de produit : FET GaN
Boîtier : TO-220
Polarité du transistor : Canal N
Vds – Tension de claquage drain-source : 200 V
Id – Courant drain continu : 14,5 A
Rds – Résistance drain-source à l’état passant : 200 mOhms
Vgs – Tension grille-source : – 20 V, + 20 V
Température minimale de fonctionnement : – 55 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Pd – Dissipation de puissance : 95 W
Temps de descente : 60 ns
Temps de montée : 50 ns
Temps de retombée : 150 ns
Temps d’activation : 12 ns
