Description
Fabricant : Microchip
Catégorie de produit : MOSFET
Boîtier : TO-247
Polarité du transistor : N-Channel
Vds – Tension de claquage drain-source : 1 kV
Id – Courant de drain continu : 18 A
Rds – Résistance drain-source à l’état passant : 600 mOhms
Vgs – Tension grille-source : – 30 V, + 30 V
Vgs th – Tension de seuil grille-source : 4 V
Qg – Charge de grille : 150 nC
Température minimale de fonctionnement : – 55 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Pd – Dissipation de puissance : 625 W
Nom commercial : Power MOS 8
Temps de descente : 19 ns
Hauteur : 5,31 mm
Longueur : 21,46 mm
Largeur : 16,26 mm
Temps de désactivation typique : 75 ns
Temps de mise sous tension typique : 22 ns
