Description
MOSFET 6R165P (souvent identifié comme IPW60R165CP)
Fabricant : Infineon
Catégorie de produit : MOSFET
Boîtier : TO-247
Polarité du transistor : N-channel
Vds – Tension de claquage drain-source : 600 V
Id – Courant de drain continu : 21 A
Rds – Résistance drain-source à l’état passant : 165 mOhms
Vgs – Tension grille-source : – 20 V, + 20 V
Vgs th – Tension de seuil grille-source : 3,5 V
Qg – Charge de grille : 39 nC
Température minimale de fonctionnement : – 55 °C
Température maximale de fonctionnement : + 150 °C
Pd – Dissipation de puissance : 192 W
Série : CoolMOS CE
Temps de descente : 5 ns
Temps de retombée typique : 50 ns
Temps de mise sous tension typique : 12 ns
Hauteur : 21,1 mm
Longueur : 16,13 mm
Largeur : 5,21 mm
