Mosfet N-channel « 2SK4207 » (900V-13A) TO‑3P

Transistor à effet de champ TOSHIBA de type MOS N-channel en silicium

Description

– Tension maximal Drain–Source (VDSS) : 900 V

– Tension Gate–Source (VGSS) : ±30 V

– Courant continu (ID) : 13 A

– Courant de crête (pulse) : 39 A

– Résistance RDS(on): 0,78 Ω @ VGS=10 V (max 0,95 Ω)

– Transfer admittance (gfs) : 11 S @ VGS=10 V, ID=6,5 A

– Charge totale de grille (Qg) : ~45 nC

– Temps de montée : ~53 ns

– Temps de descente : ~43 ns

– Puissance dissipable : 150 W (Tc = 25 °C)

– Température de jonction : –55 à +150 °C