Mosfet N-channel « 2SK3905 » (500V-17A) TO‑3P

Transistor à effet de champ TOSHIBA de type MOS N-channel en silicium

Description

– Tension Drain–Source (VDSS) : 500 V

– Tension Gate–Source (VGSS) : ±30 V

– Courant Drain continu (ID) : 17 A à 25 °C

– Courant Drain impulsionnel (IDM) : 68 A 

– Résistance RDS(on) : 0,25 Ω, max. 0,31 Ω  à VGS=10 V

– Tension de seuil VGS(th) : ~2–4 V à ID=1 mA

– Dissipation maximale (PD) : 150 W à  25 °C

– Température de jonction maximale (Tj) : –55 à +150 °C

– Résistance thermique : ~0,83 °C/W