Mosfet N-channel « 2SK2955 » (60V-45A) TO‑3P

Commutation de puissance haute vitesse MOSFET  N-channel en silicium

Description

– Tension Drain–Source (VDSS) : 60 V

– Tension Gate–Source (VGSS) : ±20 V

– Courant Drain continu (ID) : 45 A à 25 °C

– Courant Drain pulsé (ID(pulse)) : 180 A 

– Résistance RDS(on): 0.010 Ω à VGS=10 V (jusqu’à 0.013 Ω)

– Courant seuil VGS(th): 1.5 – 2.5 V à ID=1 mA

– Temps de montée (tr) : ~200 ns

– Temps de fermeture (tf) : ~240 ns

– Temps de retard à l’allumage (td(on)) : ~25 ns ; à l’extinction (td(off)) ~320 ns