Description
– Faible résistance drain-source à l’état passant : RDS(ON) = 1,6 Ω (typ.)
– Admittance de transfert direct élevée : |Yfs| = 5,0 S (typ.)
– Faible courant de fuite : IDSS = 100 μA (max.) (VDS = 720 V)
– Mode d’amélioration : Vth = 2,0~4,0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
VDS = 900 V
ID = 7 A
IDPulse = 21A
Tj = 150 °C
VGS : ± 30 V
