Description
– Application d’amplificateur haute puissance
– Tension de claquage élevée : VDSS = 180 V
– Admittance de transfert direct élevée : |Yfs| = 4,0 S (typ.)
– Complémentaire au 2SJ200
VDS = 180 V
ID = 10 A
Tj = 150 °C
VGS : ± 20 V
Mosfet N-channel 2SK1529 (180V-10A)
Transistor à effet de champ TOSHIBA de type MOS à N Channel en silicium 2SK1529 (180V-10A)
