Description
MOSFET IRFP360 N‑Channel, type HEXFET
- Tension Drain‑Source (VDSS) : 400 V max
- Courant Drain continu (ID) : 23 A à 25 °C
- RDS(on) (max) : 0,20 Ω à 14 A avec gate‐drive de 10 V
- Courant de seuil VGS(th) : 4 V (pour 250 µA)
- Tension Gate‑Source maximale : ±20 V
- Temps de montée (tr) : ~79 ns
- Dissipation de puissance (Pd) : 280 W à température de boîtier (Tc = 25 °C)
- Température de jonction TJ : −55 °C jusqu’à +150 °C max
- Boîtier : TO‑247
