Description
- MOSFET N-channel à faible puissance
- Tension drain-source VDS max = 60 V
- Courant drain continu ID max ≈ 500 mA
- Puissance dissipée ≈ 830 mW
- Résistance à l’état passant RDS(on) ≈ 1,2 Ω @ VGS = 10 V
- Tension de seuil VGS(th) = 0,8 à 3 V
- Tension grille-source VGS max = ±20 V
- Commutation rapide (MOSFET de signal)
- Boîtier TO-92
- Courant de fuite drain très faible
- Idéal pour : petites charges, pilotage logique, commutation rapide en basse puissance
