Description
Type : module demi-pont IGBT avec diodes de roue libre intégrées
Courant continu (TC = 100 °C) : 100 A
Tension collector-émetteur max : 1200 V
Courant de pointe (répétitive 1 ms) : jusqu’à 200 A
V_CE(sat) à 100 A : 1,9–2,2 V
E_on / E_off : ≈9,5 mJ / 10,2 mJ
td(on)/tr : 40–110 ns / 80–95 ns
td(off)/tf : 240–465 ns / 100–385 ns
R_th(j‑c) : 0,27–0,36 °C/W
Diode intégrée VF à 100 A : ~2,25 V
Température de jonction : -40 °C à +150 °C
