Description
- Module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance intégré.
- Tension collecteur-émetteur maximale : 1200 V.
- Courant continu nominal : 40 A.
- Type de technologie IGBT : Trench avec faible VCE(sat) pour faibles pertes en conduction.
- Module PIM (Power Integrated Module) combinant IGBT(s) et diodes anti-parallèle.
- Capacité de court-circuit court (~10 µs).
- Température maximale de jonction : 175 °C.
- Diodеs de roue libre intégrées avec récupération rapide et douce.
- Base isolée en cuivre (DBC) pour excellente gestion thermique.
- Faible inductance du boîtier (meilleure performance dynamique).
- Applications typiques :
- variateurs de fréquence et contrôles de moteurs ;
- alimentations sans coupure (UPS) ;
- servo-amplificateurs AC/DC et onduleurs.
