MODULE IGBT « SKM145GB123D » 1200V/145A

Description

• Tension collecteur-émetteur (VCES) : 1200 V (à T = 25 °C)
• Courant collecteur continu (IC) : 145 A
• Courant libre (IF) : 90 A 
  
• Courant de pointe (IFSM) : 1440 A
  
• Courant RMS (It(RMS)) : 200 A
  
• Tension d’isolement (Visol) : 2500 V
  
• Tension d’entrée-gate à IC = 4 mA (VGE) : 6,5 V
  
• Courant collecteur de fuite (ICES) : 0,3 mA
  
• Tension collecteur-émetteur à ICnom = 1000 A (VCE) :  3 V
  
• Résistance RCE : environ 19 mΩ 
  
• Température de jonction (Tvj) : de –40 °C à +150 °C
  
• Température de stockage (Tstg) : de –40 °C à +125 °C