Description
Type : IPM (Intelligent Power Module) IGBT triphasé en boîtier DIP 28 broches
Tension de blocage (VCE) : 1200V
Courant nominal : 15A – pic jusqu’à 30A (<1ms)
Isolation : 2500V AC entre broches et radiateur
Protection intégrée :
– Sous-tension d’alimentation (UV) sur haut et bas côté
– Protection contre les courts-circuits (SC) sur les IGBT bas
– Sortie «défaut» Signalisation Open-Drain UV/SC
Interface d’entrée : CMOS/TTL 5V, logique active haute
Alimentation de commande : 13,5–16,5V (typiquement 15V), jusqu’à 1000V de tolérance intérieure. max provoqué
Température de jonction : jusqu’à 150°C (150°C max si TC ≤100°C), recommandé ≤125°C pour une utilisation sûre
Dissipation thermique : ~56,8W par puce (TC = 25°C)
