Description
Isolation V : 2500 V DC max
Temp. jonction (Tj) : –20 °C à 125 °C
Temp. boîtier (Tc) : –20 °C à 100 °C
IC continu (Tc=25 °C) : ±10 A
IC crête (Tc=25 °C) : ±20 A
Pertes puissance (Tc=25 °C) : 20 W par IGBT
Temps de commutation : ton 0,6–1,8 μs, toff ~0,3 μs
Résistance thermique IGBT : 5 °C/W, diode : 6,5 °C/W
Plage recommandée Vcc : 300–400 V DC
Plage VD/VDB (alim. pilotage) : 13,5–18,5 V, typ. 15 V
Fréquence PWM maximale : env. 10 kHz
Temps mort (dead‑time) : ≥ 1,5 μs
