Description
- Tension collecteur‑émetteur (VCES) : 1200 V
- Courant continu (IC25 à Tj = 25 °C) : 130 A
- Courant continu (IC80 à Tj = 80 °C) : 90 A
- Courant de pointe (ICM, non-rep., TVJ 125 °C) : 150 A
- Tension VCE(sat) typique : 2.0 V à 75 A, VGE = 15 V (jusqu’à ≈2.5 V max)
- Résistance thermique jonction‑boîtier (RthJC) : 0.25 K/W par IGBT
- IGBT : NPT3, à faible tension VCE(sat), coefficient positif de température, faible courant de queue
- Diode intégrée HiPerFRED™ : récupération rapide, faible chute de tension, faible fuite
- Configuration : module sixpack (H‑Bridge / trois phases)
- Boîtier : package E3, broches soudables pour montage PCB, plaque thermiquement isolée mais conductrice
- Puissance dissipable : ≈ 500 W (TVJ=25 °C)
