Description
• Impédance d’entrée élevée
• Haute vitesse : tf = 0,30 µs (max.) (IC = 75 A) trr = 0,15 µs (max.) (IF = 75 A)
• Mode d’amélioration
• Les électrodes sont isolées du boîtier
• Comprend une carte demi-pont complète
• Faible tension de saturation VCE (sat) = 2,70 V (max.) (IC = 75 A)
