Description
• 6 IGBT intégrés dans un seul boîtier
• Haute vitesse : tf = 0,5 µs (max.) trr = 0,5 µs (max.)
• Faible tension de saturation : VCE (sat) = 4,0 V (max.)
• Mode d’amélioration
• Les électrodes sont isolées du boîtier
Module IGBT MG25Q6ES42 (1200V-25A)
GTR Module N-channel IGBT MG25Q6ES42 (1200V-25A)
