Description
MG200J2YS50 est un module IGBT haute puissance de Toshiba, constitué d’un demi‑pont complet (2 IGBTs + 2 diodes) dans un seul boîtier, idéal pour les applications de découpage et de commande de moteurs.
- Architecture : demi-pont IGBT (module)
- Collecteur-émetteur de tension (VCES) : 600 V
- Grille de tension–émetteur (VGES) : ±20V
- Courant collecteur continu (IC) : 200A
- Courant pic 1ms (ICP) : 400A
- Courant direct continu (IF) : 200A
- Courant direct pic 1ms (IFM) : 400A
- Puissance dissipée (Tc = 25°C) : 900W
- Température jonction (Tj) : –40°C à +150°C
- Tension d’isolement : 2500Vrms (1 min)
- Temps de commutation (tf) : ≤ 0,30µs à IC = 200A
- Temps de recouvrement inverse (trr) : ≤ 0,15µs à IF = 200A
- Tension de saturation (VCE(sat)) : ≤ 2,70V à IC = 200A
- Température de stockage (Tstg) : –40°C à +125°C
